损耗可减少近 50%，安森美宣布出样垂直氮化镓功率半导体

快速阅读: 安森美推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体，采用同质衬底技术，实现更高电压和更快开关频率，体积减小三分之二，损耗降低50%，适用于AI数据中心、电动汽车等领域。

IT之家 11 月 2 日消息,onsemi 安森美当地时间 10 月 30 日宣布推出并出样垂直氮化镓 (vGaN) 功率半导体。其采用专有 GaN-on-GaN 同质衬底技术,电流垂直流过化合物半导体, 能实现更高的工作电压和更快的开关频率并让功率器件的设计更为紧凑 。

安森美表示,vGaN 功率半导体可降低能量损耗和热量, 损耗减少近 50% ,助力 AI 数据中心、电动汽车、可再生能源、航空航天等领域的未来发展。

安森美的 vGaN 的垂直氮化镓技术采用单芯片设计, 可应对 1200V 及以上高压 ;与目前市售的横向 GaN 器件相比,垂直氮化镓器件的 体积约为其三分之一 ;而工作频率的提升意味着电容器和电感等 被动元件尺寸可缩减约一半 。

IT之家了解到,安森美目前已向早期客户提供 700V 和 1200V 器件样品。

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