SK海力士量产321层QLC NAND闪存，引领存储技术新突破

快速阅读: SK海力士开发并量产321层2Tb QLC NAND闪存，容量和性能显著提升，写入功耗效率提高23%，计划应用于PC固态硬盘及数据中心，助力AI服务器发展。

IT之家 8 月 25 日消息,SK 海力士公司宣布其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过 300 层的 QLC 技术应用,为 NAND 存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后,于明年上半年正式推出该产品。

为提升新产品的成本竞争力,SK 海力士开发了一种容量为 2Tb 的设备,其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量 NAND 可能出现的性能下降问题,公司还将芯片内的平面(plane)数量从 4 个增加到 6 个。平面是芯片内独立操作单元,这一改变使得并行处理能力得到增强,显著提升了同步读取性能。

因此,与之前的 QLC 产品相比,321 层 QLC NAND 在容量和性能上都有显著提升。数据传输速度翻倍,写入性能最高提升 56%,读取性能提升 18%。此外,写入功耗效率提高了 23% 以上,在对低功耗要求极高的 AI 数据中心领域,其竞争力得到进一步加强。

据IT之家了解,SK 海力士计划首先将 321 层 NAND 应用于 PC 固态硬盘,随后拓展至数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和智能手机的 UFS。借助其独有的 32DP 技术,该技术可在单个封装内同时堆叠 32 个 NAND 芯片,SK 海力士有望通过实现两倍的集成密度,进军超高容量 eSSD 市场,为 AI 服务器提供服务。

“随着量产的开始,我们在高容量产品组合方面显著增强了实力,并确保了成本竞争力。”SK 海力士 NAND 开发部门负责人 Jeong Woopyo 表示,“我们将随着数据中心市场对 AI 需求的爆炸性增长以及高性能要求的提升,作为全栈 AI 存储提供商实现重大飞跃。” 广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

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