清华研发成功理想EUV光刻胶材料

快速阅读: 据相关媒体报道，清华大学许华平团队研发出新型聚碲氧烷光刻胶，提升EUV光刻效率，解决吸收、灵敏度与均一性难题，助力半导体技术发展。

据清华大学报道，7月16日，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻胶。这一成果已发表在《科学进展》上（DOI: 10.1126/sciadv.adx1918）。

随着集成电路工艺向7纳米及以下节点推进，13.5纳米波长的EUV光刻成为实现先进芯片制造的关键技术。然而，EUV光源存在反射损耗大、亮度低等问题，对光刻胶的吸收效率、反应机制和缺陷控制提出了更高要求。

许华平教授团队的研究提供了一种融合高吸收元素碲（Te）、主链断裂机制与材料均一性的光刻胶设计路径，有望推动下一代EUV光刻材料的发展，助力先进半导体工艺技术革新。

当前主流EUV光刻胶多依赖化学放大机制或金属敏化团簇来提升灵敏度，但常面临结构复杂、组分分布不均、反应容易扩散等问题，容易引入随机缺陷。理想的EUV光刻胶应具备以下四个关键要素：高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子尺度的均一性和尽可能小的构筑单元。

许华平教授团队基于聚碲氧烷开发出的新型光刻胶，成功解决了上述难题。该光刻胶通过Te─O键直接引入高分子骨架中，显著提升了EUV吸收效率。同时，Te─O键较低的解离能使其在吸收EUV后可直接发生主链断裂，实现高灵敏度的正性显影。这一设计仅由单组份小分子聚合而成，在极简的设计下实现了理想光刻胶特性的整合，为构建下一代EUV光刻胶提供了清晰而可行的路径。

(以上内容均由AI生成)