铠侠推出BiCS9 512Gb TLC NAND 结合高速IO与120层堆叠技术

快速阅读: 据相关媒体报道，铠侠推出基于第九代BiCS FLASH技术的512Gb TLC芯片，2026年前量产。相比前代，性能与能效显著提升，用于企业级固态硬盘。

IT之家 7 月 25 日消息,铠侠今日宣布出样基于第九代 BiCS FLASH 3D 闪存技术的 512Gb TLC 芯片,并计划于 2025 财年内(IT之家注:2026 年 4 月前)实现该型号的量产。
这款 BiCS9 TLC 是铠侠双轨 NAND 制程战略的关键一步:通过导入 CBA 技术 铠侠解耦 NAND 存储单元阵列与外围 CMOS 电路的制造 ,在 BiCS8 后铠侠将通过 BiCS10 探索更高堆叠与更大容量、BiCS9 则基于现有阵列制程和更新的外围芯片实现出色性价比。
BiCS9 家族的阵列部分基于 112 层 BiCS5 或 218 层 BiCS8 ,不过铠侠此次出样的 TLC NAND 被称为 120 层 BiCS5,应属于一种变体。
相较于此前的 162 层 BiCS6 512Gb TLC,新品 BiCS9 512Gb TLC 实现了 12% 的读取性能提升、 61% 的写入性能提升 、27% 的读取能效提升、36% 的写入能效提升,通过平面缩放实现 8% 位密度提升, 支持 3.6Gb/s 接口速率 (演示中可达 4.8Gb/s)。
铠侠表示,其 BiCS9 512Gb TLC 旨在支持在中低存储容量中需要高性能和卓越能效的应用 ,将被用于铠侠的企业级固态硬盘中。
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(以上内容均由AI生成)