DDR6内存单通道位宽提升50% 或于2027年大规模商用
快速阅读: 相关媒体消息,JEDEC正推进DDR6内存规范,三大厂商已完成原型设计。DDR6单通道位宽达96bit,频率最高17600MT/s,预计2027年大规模应用。CAMM将取代DIMM成为主流。
据台媒《工商时报》报道,7月23日,JEDEC 正在积极推进 DDR6 内存规范的准备工作。目前,三大 DRAM 内存原厂已完成 DDR6 原型芯片的设计。新一代 DDR 内存有望在 2026 年的平台测试与验证后,于 2027 年进入大规模导入期。
DDR6 的单通道位宽将提升 50%,达到 96bit,子通道划分也从 DDR5 时期的 2×32bit 细化至 4×24bit。原生频率方面,DDR6 起步频率为 8800MT/s,最高可达 17600MT/s。
与已公布的 LPDDR6 规范类似,DDR6 的位宽提升有助于简化笔记本电脑 SoC 等双内存规范平台的设计。在模组外形规格方面,为满足 DDR6 对信号完整性和 I/O 设计的更高要求,CAMM 系预计将取代传统 DIMM 成为主流解决方案。
(以上内容均由AI生成)