Jensen Huang 预计全环绕栅极晶体管的性能将提高 20%

快速阅读: 《技术点》消息，在英伟达GTC大会上，黄仁勋透露未来GPU路线图，费曼一代可能采用GAA晶体管技术，预计带来约20%性能提升。GAA是后FinFET时代的关键技术，台积电和英特尔均在推进。黄仁勋称英伟达为“人工智能基础设施公司”，强调AI对企业的巨大推动作用。

简而言之：
在英伟达GTC大会的主题演讲中，CEO黄仁勋在涉及多个主题时，简要提及了公司超越即将推出的鲁滨逊（Vera Rubin）架构的GPU路线图。费曼一代及其后续产品可能会采用包含全环绕栅极（GAA）晶体管的半导体节点——这是鳍式场效应晶体管（FinFET）之后晶体管技术的下一步进化。

在GPU技术大会的一次问答环节中，黄仁勋估计从FinFET过渡到GAA架构将带来约20%的性能提升。他的评论为公司对未来图形芯片设计的期望提供了早期信号。

台积电和英特尔等半导体制造商将GAA晶体管视为3纳米以下工艺节点的关键技术。最近的节点，包括3纳米节点，都采用了FinFET结构，其中晶体管门围绕电流通道的三个侧面。然而，随着前沿晶体管不断缩小并更密集地排列在先进节点中，电气泄漏成为日益严重的问题。

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GAA通过垂直堆叠电流通道解决了这一问题，增加了总通道面积，同时允许门在所有四个侧面上包围通道。尽管这种方法成本更高，但它提升了性能和能效。

英特尔即将推出的18A节点将在今年晚些时候通过猎豹湖（Panther Lake）笔记本CPU和清水森林（Clearwater Forest）服务器处理器引入GAA。台积电计划在其2纳米N2工艺中采用GAA，该工艺接近量产，并预计将于2026年底在iPhone 18 Pro的A20 SoC中首次亮相。

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在GTC大会上，黄仁勋正式发布了英伟达的下一代GPU，鲁滨逊（Vera Rubin），它将基于台积电的N3节点，并预计将在明年面向企业客户推出。他还分享了鲁滨逊的继任者费曼（Feynman）的早期细节，预计将在2028年推出。

尽管费曼的半导体工艺信息尚未公布，但很可能使用2纳米级节点，尽管英伟达也可能考虑英特尔的18A节点。无论如何，GAA将是关键组成部分之一。黄仁勋表示，虽然GAA带来的20%性能提升并非革命性，但“我们会接受我们所能得到的。”

与此同时，背面供电技术正逐渐成为另一项对3纳米以下节点至关重要的技术。台积电预计不会在2026年开始的A16节点中实施，而英特尔则将在今年晚些时候通过18A节点推出其版本。

有趣的是，在GTC问答环节中，黄仁勋还称英伟达为“人工智能基础设施公司”。虽然英伟达因游戏GPU而闻名，但人工智能热潮已推动其企业部门的价值达到数万亿美元级别。

(以上内容均由Ai生成)