中国科学家为芯片制造中使用的光刻设备制造固态 DUV 激光源

快速阅读: 据《Tom 的硬件》称，中科院研发出深紫外激光器，可发射193纳米相干光，有望用于半导体光刻工艺。此技术若规模化应用，将提升芯片制造精度。虽规模化路径未明，但成果为技术进步奠定基础，显示我国在高端芯片制造领域的努力与竞争力。

据SPIE报道，中国科学院的研究团队在实验室成功研制出一款基于固态技术的深紫外（DUV）激光器，该激光器能够发射波长为193纳米的相干光，这一技术有望应用于半导体光刻工艺。如果此项光源技术能够实现规模化应用，相关设备将能够用于构建采用先进工艺技术的芯片光刻设备。然而，目前关于如何实现固态激光器规模化的具体方案仍不明确。

研究团队在实验室中取得的这一突破性进展，为半导体制造领域带来了新的可能性。这款深紫外激光器不仅提升了光刻工艺的精度和效率，还为推动芯片制造技术向更高水平发展提供了重要支持。尽管现阶段规模化路径尚待进一步探索，但这项成果无疑为未来的技术突破奠定了坚实的基础。

随着科研人员不断优化技术细节与应用场景，可以预见，这种基于固态技术的深紫外激光器将在半导体行业中展现出巨大的潜力。未来，它或将改变传统光刻工艺的格局，助力我国在高端芯片制造领域占据更有利的地位。这一创新成果不仅体现了我国在前沿科技领域的持续投入与不懈努力，也标志着我们在国际竞争中迈出了坚实的一步。

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