快速阅读: 12月30日消息，台积电将美国亚利桑那州3纳米晶圆厂量产时间提前至2027年，以应对AI与高性能计算芯片的强劲需求，并回应英特尔、三星等竞争对手的挑战，同时推进其3000亿美元在美投资计划。
台积电正大幅提前其美国亚利桑那州晶圆厂3纳米制程的大规模量产时间，预计将于2027年启动，较原计划提前一年。这一调整主要受市场对先进制程芯片的强劲需求及竞争对手持续施压所驱动。
该工厂是台积电全球布局中规模最大的项目之一。2025年，公司顺应“美国制造”趋势，将产能向美国转移列为优先任务，并计划在全美投资约3000亿美元，以构建更具韧性的供应链体系。目前，亚利桑那州首座工厂已投产4纳米芯片，第二座工厂将专注于3纳米制程量产。
推动此次加速扩产的核心因素，是高性能计算和人工智能领域对尖端芯片的旺盛需求。当前，高性能计算客户已占据台积电大量产能，而AI热潮仍未见退潮迹象，促使公司加快整体产能扩张步伐。
与此同时，台积电正面临区域竞争对手的激烈挑战。英特尔在18A制程上不断取得突破，三星则加速推进其泰勒晶圆厂建设，拟跳过4纳米，直接导入2纳米工艺。此外，三星已成功获得特斯拉等关键客户订单，反映出部分厂商正积极寻求台积电之外的替代供应来源。
在此背景下，台积电还需应对资本支出激增、劳动力短缺等多重压力，并同步推进日本等地的技术布局。如何高效统筹全球庞大的产能网络，成为其下一阶段发展的关键考验。
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引用自：IT之家网站
