快速阅读: 据FNGuide报道，受AI加速器需求激增推动，三星电子与SK海力士将2026年HBM3E价格上调近20%。同时，两家公司全年营业利润预期分别上调至85.44万亿和76.14万亿韩元。
受人工智能加速器需求持续增长影响，三星电子与SK海力士等存储芯片供应商已将2026年HBM3E产品价格上调近20%。通常情况下，新一代高带宽存储器（HBM）发布前，旧型号价格会有所下调，但此次却出现逆势涨价，被业界视为异常现象。
分析指出，英伟达、谷歌、亚马逊等全球科技企业明年对HBM3E的订单量显著增加，是推动价格上涨的主要原因。尽管HBM4预计将于明年逐步量产并占据市场主导地位，但除英伟达外，多家大型科技公司仍计划在新AI加速器中采用HBM3E，使其需求保持强劲。
由于内存厂商正集中资源推进HBM4产能建设，HBM3E供应短期内难以匹配快速增长的需求，从而形成约20%的价格溢价。有证券研究机构预测，2026年HBM市场营收中，HBM4将占55%，HBM3E占45%；自第三季度起，HBM4将快速承接原属HBM3E的订单。
伴随HBM需求激增，DRAM等主流存储产品价格亦呈上涨趋势，带动相关企业盈利预期上调。据金融信息公司FNGuide数据，三星电子2026年全年营业利润预期由一个月前的76.65万亿韩元上调至85.44万亿韩元，SK海力士则从71.40万亿韩元上调至76.14万亿韩元。
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引用自：IT之家网站
